<背景>
自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率模块投入量产以来,生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果,支持更大电流的产品阵容倍受期待,但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能,需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响(大电流化带来的课题)的新封装。
此次,ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构,与以往产品相比,成功地大幅降低了模块内部电感。由此,可抑制浪涌电压,从而实现了300A的更大电流。
今后,ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块,并使用沟槽式结构的SiC元器件,开发出更大额定电流的产品,不断强化产品阵容。
<术语解说>
电感
表示使流动的电流发生变化时因电磁感应产生的电动势的大小的量。
热敏电阻
对于温度变化,电阻变化较大的电阻体。作为测量温度的传感器使用。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
绝缘栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
SBD(Schottky Barrier Diode)
通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结,利用其可获得整流性(二极管特性)的二极管。具有"无少数载流子存储效应、高速性能卓越"的特点。