＜背景＞
自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率模块投入量产以来，生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果，支持更大电流的产品阵容倍受期待，但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能，需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响（大电流化带来的课题）的新封装。
此次，ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构，与以往产品相比，成功地大幅降低了模块内部电感。由此，可抑制浪涌电压，从而实现了300A的更大电流。
今后，ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块，并使用沟槽式结构的SiC元器件，开发出更大额定电流的产品，不断强化产品阵容。
＜术语解说＞
电感
表示使流动的电流发生变化时因电磁感应产生的电动势的大小的量。
热敏电阻
对于温度变化，电阻变化较大的电阻体。作为测量温度的传感器使用。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）
绝缘栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
金属－氧化物－半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
SBD（Schottky Barrier Diode）
通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可获得整流性（二极管特性）的二极管。具有"无少数载流子存储效应、高速性能卓越"的特点。
